صفحه محصول - پاورپوینت با عنوان سمینار درس نانو الکترونیک

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل : PowerPoint (..pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 18 صفحه

قسمتی از متن PowerPoint (..pptx) :

سمینار درس نانو الکترونیک ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی بسمه تعالی فهرست مقدمه ای بر نانولوله های کربنی روش های ساخت نانو لوله های کربنی CNTFET با گیت پشتی CNTFET با گیت بالا مشکلات CNTFET کاربردCNTFET در سنسور گاز نتیجه گیری 1 CNTFET با گیت دور نانو لوله مراحل ساخت CNTFETگیت دور نانولوله مقایسه پارامترهای کلیدی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET بررسی تئوری جریان درین در ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی گیت کاربرد :ساخت گیت NOT با CNTFET اندازه بسیار کوچک قابلیت تحرک حامل ها بالاست انتقال حامل ها بصورت بالستیک صورت می گیرد نانو لوله چند جداره نانو لوله تک جداره نانو لوله های کربنی مزایای نانو لوله های کربنی 2 ن در این روش جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند .که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود .در این صورت بیش از 30 درصد خاکستر تولید شده نانو لوله های کربنی هستند. در این روش یک گاز حاوی کربن آن قدر گرم می شود تا ملکول های گاز شروع به تجزیه شدن ،کنند.در این حالت یک زیرلایه در حضور کاتالیزگر در معرض گاز قرار می گیرد .اتم های کربن بر روی زیرلایه و در نزدیکی دانه بلور نیمه رسانا (seed) که از قبل بر روی زیر لایه قرار داده شده جمع می شوند و تا وقتی که زیرلایه در معرض گاز باشد رشد نانولوله های کربنی ادامه دارد این روش مشابه روش اول است با این تفاوت که در این روش از لیزر برای بمباران کردن یک هدف گرافیتی استفاده می شود. با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد. روش های ساخت نانو لوله های کربنی تخلیه الکتریکی پلاسما نشست شیمیایی بخار تبخیر لیزر 3 در ترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتی مشخصه انتقالی مانند ترانزیستورMOSFET نوع p است. 3